Plasma等離子清洗機化學(xué)反應：

　　在化學(xué)反應里常用的氣體有氫氣（H2）、氧氣（O2）、甲烷（CF4）等，這些氣體在電漿內反應成高活性的自由基，其方程式為：這些自由基會(huì )進(jìn)一步與材料表面作反應。

　　其反應機理主要是利用等離子體里的自由基來(lái)與材料表面做化學(xué)反應，在壓力較高時(shí)，對自由基的產(chǎn)生較有利，所以若要以化學(xué)反應為主時(shí)，就必須控制較高的壓力來(lái)近進(jìn)行反應。

　　Plasma等離子清洗機物理反應：

　　主要是利用等離子體里的離子作純物理的撞擊，把材料表面的原子或附著(zhù)材料表面的原子打掉，由于離子在壓力較低時(shí)的平均自由基較輕長(cháng)，有得能量的累積，因而在物理撞擊時(shí)，離子的能量越高，越是有的作撞擊，所以若要以物理反應為主時(shí)，就必須控制較的壓力下來(lái)進(jìn)行反應，這樣清洗效果較好，為了進(jìn)一步說(shuō)明各種設備清洗的效果。

　　等離子體清洗機的機理，主要是依靠等離子體中活性粒子的“活化作用”達到去除物體表面污漬的目的。就反應機理來(lái)看，等離子體清洗通常包括以下過(guò)程：無(wú)機氣體被激發(fā)為等離子態(tài)；氣相物質(zhì)被吸附在固體表面；被吸附基團與固體表面分子反應生成產(chǎn)物分子；產(chǎn)物分子解析形成氣相；反應殘余物脫離表面。

　　Plasma等離子清洗機清洗技術(shù)的zui大特點(diǎn)是不分處理對象的基材類(lèi)型，均可進(jìn)行處理，對金屬、半導體、氧化物和大多數高分子材料，如聚丙烯、聚脂、聚酰亞胺、聚氯乙烷、環(huán)氧、甚至聚四氟乙烯等都能很好地處理，并可實(shí)現整體和局部以及復雜結構的清洗。

　　等離子體清洗還具有以下幾個(gè)特點(diǎn)：容易采用數控技術(shù)，自動(dòng)化程度高；具有高精度的控制裝置，時(shí)間控制的精度很高；正確的等離子體清洗不會(huì )在表面產(chǎn)生損傷層，表面質(zhì)量得到保證；由于是在真空中進(jìn)行，不污染環(huán)境，保證清洗表面不被二次污染。